Surface acoustic wave device suitable for use in GHz band

   
   

IDT electrodes are formed by a Cu alloy. When the wavelength of a SAW propagating in the direction of the X axis of a piezoelectric substrate is indicated by .lambda., and when the thickness of the IDT electrodes is indicated by H, the standardized thickness H/.lambda. of the IDT electrodes ranges from 0.045 to 0.070, and the piezoelectric substrate is a rotated Y-cut LiTaO.sub.3 substrate whose rotational cut angle .theta. from the Y axis to the Z axis around the X axis ranges from 52.0.degree. to 58.0.degree.. With this arrangement, the reflection coefficient S11 becomes 0.88 or higher.

Gli elettrodi di IDT sono costituiti da una lega del Cu. Quando la lunghezza d'onda di una SEGA che si propaga nel senso dell'asse di X di un substrato piezoelettrico è indicata da lambda. e quando lo spessore degli elettrodi di IDT è indicato da H, lo spessore standardizzato H/.lambda. di IDT gli elettrodi varia da 0.045 a 0.070 ed il substrato piezoelettrico è ruotato Y-ha tagliato il substrato LiTaO.sub.3 di cui theta di rotazione di angolo del taglio. da Y l'asse all'asse di Z intorno all'asse di X varia da 52.0.degree. a 58.0.degree.. Con questa disposizione, il coefficente di riflessione S11 si transforma in in 0.88 o in più alto.

 
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