A two-dimensional crystalline film of ferritin 4 holding iron-oxide cores 1
is formed on a silicon substrate 6. The silicon substrate 6 is then etched
by using at least the cores 1 as an etching mask. Since the cores 1 have a
small diameter of 6 nm, a fine structure can be formed on the substrate,
enabling manufacturing of a semiconductor light-emitting element and
various semiconductor devices using a quantum effect.
Een tweedimensionale kristallijne film van ferritin 4 die ijzer-oxyde kernen 1 houdt wordt gevormd op een siliciumsubstraat 6. Siliciumsubstraat 6 wordt dan geëtst door minstens kernen 1 als etsmasker te gebruiken. Aangezien kernen 1 een kleine diameter van 6 NM hebben, kan een fijne structuur op het substraat worden gevormd, toelatend productie van een halfgeleider lichtgevend element en diverse halfgeleiderapparaten gebruikend een quantumeffect.
