Active matrix display device and mobile terminal using the device

   
   

In order to solve a subject that a polycrystalline silicon TFT liquid crystal display apparatus of the driving circuit integration type cannot adopt a technique for reducing the power consumption by an output section, according to the present invention, for example, a sampling latch circuit which composes a horizontal driving circuit (data line driving circuit) of an active matrix type display apparatus is configured such that, when a 1-bit mode (2-gradation mode) is set, a control signal A of the "H" level and another control signal B of the "L" level (low level) are outputted from a 1-bit mode control circuit (16) to place only AND circuits (31-2 and 32-2) corresponding to the most significant bit (MSB) into a passage permitting state to place only latch circuits (35-2 and 36-2) of the MSB into a data writing permitting state (active state) while the remaining latch circuits (35-0, 35-1, 36-0 and 36-1) are placed into a data writing inhibiting state (inactive state).

Для того чтобы разрешить вопрос что поликристаллический прибор жидкостной crystal индикации кремния TFT типа внедрения управляя цепи не может принять метод для уменьшения расхода энергии разделом выхода, согласно присытствыющему вымыслу, например, цепь защелки забора которая составляет горизонтальную управляя цепь (цепь телевизионная строка с данными телетекста управляя) активно прибора индикации типа матрицы установлена таким что, когда режим 1-bit (режим 2-gradation) установлен, сигналу управления а "ю" ровного и другому сигналу управления б "л" ровного (низкий уровень) outputted от цепи управлением режима 1-bit (16) для того чтобы установить только И цепи (31-2 и 32-2) соответствуя к значительно биту (MSB) в положение прохода позволяя для того чтобы установить только цепи защелки (35-2 и 36-2) MSB в положение сочинительства данных позволяя (рабочее состояние) пока остальные цепи защелки (35-0, 35-1, 36-0 и 36-1) помещены в положение сочинительства данных блокируя (бездействующее положение).

 
Web www.patentalert.com

< Method for precision-processing a fine structure

< Silicon nitride film, and semiconductor device and method of manufacturing the same

> Light-emitting device and electric apparatus

> Light-emitting device and display device employing electroluminescence with no light leakage and improved light extraction efficiency

~ 00154