An object of the present invention is to apply an insulating film of cure
and high quality that is suitably applicable as gate insulating film and
protective film to a technique that the insulation film is formed on the
glass substrate under a temperature of strain point or lower, and to a
semiconductor device realizing high efficiency and high reliability by
using it. In a semiconductor device of the present invention, a gate
insulating film of a field effect type transistor with channel length of
from 0.35 to 2.5 .mu.m in which a silicon nitride film is formed over a
crystalline semiconductor film through a silicon oxide film, wherein the
silicon nitride film contains hydrogen with the concentration of
1.times.10.sup.21 /cm.sup.3 or less and has characteristic of an etching
rate of 10 nm/min or less with respect to mixed solution containing an
ammonium hydrogen fluoride (NH.sub.4 HF.sub.2) of 7.13% and an ammonium
fluoride (NH.sub.4 F) of 15.4%.
Un objeto de la actual invención es aplicar una película aislador de la curación y de la alta calidad que es convenientemente aplicable como la película aislador de la puerta y película protectora a una técnica que la película del aislamiento está formada en el substrato de cristal bajo temperatura del punto de la tensión o más bajo, y a un dispositivo de semiconductor que realiza eficacia alta y alta confiabilidad usándola. En un dispositivo de semiconductor de la actual invención, una película aislador de la puerta de un tipo transistor del efecto del campo con longitud de canal de a partir mu.m la 0.35 a 2.5 en el cual una película del nitruro de silicio se forma sobre una película cristalina del semiconductor a través de una película del óxido del silicio, en donde la película del nitruro de silicio contiene el hidrógeno con la concentración de 1.times.10.sup.21 /cm.sup.3 o menos y tiene característica de un índice de la aguafuerte de 10 nm/min o de menos con respecto a la solución mezclada que contiene un fluoruro del hidrógeno del amonio (NH.sub.4 HF.sub.2) de 7.13% y un fluoruro del amonio (NH.sub.4 F) de 15.4%.
