A magnetic random access memory (MRAM) using a common line is described
herein. An MTJ element is positioned on the common line of the MRAM. The
common line connected to a source of a transistor transmits a ground level
voltage for reading data and supplies a current for writing data.
Μια μαγνητική τυχαία μνήμη πρόσβασης (MRAM) που χρησιμοποιεί μια κοινή γραμμή περιγράφεται εν τω παρόντι. Ένα στοιχείο MTJ τοποθετείται στην κοινή γραμμή του MRAM. Η κοινή γραμμή που συνδέεται με μια πηγή μιας κρυσταλλολυχνίας διαβιβάζει μια τάση επίγειων επιπέδων για τα στοιχεία ανάγνωσης και παρέχει ένα ρεύμα για το γράψιμο των στοιχείων.
