A silicon single crystal is produced by crucible-free float zone pulling,
has a diameter of at least 200 mm over a length of at least 200 mm and is
free of dislocations in the region of this length. A silicon wafer is
separated from the silicon single crystal by a process for producing the
silicon single crystal. The silicon single crystal is produced by
crucible-free float zone pulling in a receptacle, in which an atmosphere
of inert gas and nitrogen exerts a pressure of 1.5-2.2 bar, the atmosphere
being continuously exchanged, with the volume of the receptacle being
exchanged at least twice per hour. A flat coil with an external diameter
of at least 220 mm is inserted in order to melt a stock ingot. The single
crystal is pulled at a rate in a range from 1.4-2.2 mm/min and is
periodically rotated through a sequence of rotation angles. The direction
of rotation is changed, after each rotation, by a rotation angle belonging
to the sequence, a change in the direction of rotating defining a turning
point on the circumference of the single crystal, and at least one
recurring pattern of turning points is formed, in which the turning points
are distributed on straight lines which are oriented parallel to the
z-axis and are uniformly spaced apart from one another.
Um único cristal do silicone é produzido pela zona cadinho-livre do flutuador que puxa, tem um diâmetro ao menos de 200 milímetros sobre um comprimento ao menos de 200 milímetros e está livre dos dislocations na região deste comprimento. Um wafer de silicone é separado do único cristal do silicone por um processo para produzir o único cristal do silicone. O único cristal do silicone é produzido pela zona cadinho-livre do flutuador que puxa em um receptáculo, em que uma atmosfera do gás inerte e do nitrogênio exerce uma pressão da barra 1.5-2.2, a atmosfera que está sendo trocada continuamente, com o volume do receptáculo que está sendo trocado ao menos duas vezes por a hora. Uma bobina lisa com um diâmetro externo ao menos de 220 milímetros é introduzida a fim derreter um ingot conservado em estoque. O único cristal é puxado em uma taxa em uma escala de 1.4-2.2 mm/min e girado periòdicamente com uma seqüência de ângulos da rotação. O sentido da rotação é mudado, após cada rotação, por um ângulo da rotação que pertence à seqüência, uma mudança no sentido de girar que define um ponto de giro na circunferência do único cristal, e ao menos um teste padrão retornando dos pontos de giro é dado forma, em que os pontos de giro são distribuídos nas linhas retas que estão paralelas orientado à z-linha central e são espaçadas uniformemente aparte de uma outra.
