In a semiconductor integrated circuit device, an integrated circuit portion
is provided on a surface of a P-type silicon substrate and in a multilayer
interconnection layer. The semiconductor integrated circuit device also
includes a temperature sensor portion. At the higher level than the
multilayer interconnection layer, a sheet member formed of vanadium oxide
is provided. The sheet member and a resistor are connected in series
between a ground potential wiring and a power-supply potential wiring, and
an output terminal is connected to a connection point between the sheet
member and the resistor.
In un dispositivo del circuito integrato a semiconduttore, una parte del circuito integrato è fornita su una superficie di un P-tipo substrato del silicone ed in uno strato a più strati di interconnessione. Il dispositivo del circuito integrato a semiconduttore inoltre include una parte del sensore di temperatura. Al livello elevato che lo strato a più strati di interconnessione, un membro del foglio formato dell'ossido del vanadio è fornito. Il membro del foglio e un resistore sono collegati in serie fra i collegamenti potenziali al suolo ed alimentazione-fornisca i collegamenti potenziali e un terminale di uscita è collegato ad un punto del collegamento fra il membro del foglio ed il resistore.
