A heterojunction bipolar transistor is fabricated by laminating and emitter
layer, a base layer and a collector layer on a top surface of a
semiconductor substrate, forming a via hole through the emitter layer, the
base layer, the collector layer and the substrate at a specific depth, and
providing a heat sink layer made of a metal on a rear surface of the
substrate. A surface electrode of the emitter layer and the heat sink
layer are connected to each other by a metal wiring line running through
within the via hole, thereby improving the heat radiation and reducing the
emitter inductance.
Μια διπολική κρυσταλλολυχνία ετεροεπαφής κατασκευάζεται από την τοποθέτηση σε στρώματα και το στρώμα εκπομπών, ένα στρώμα βάσεων και ένα στρώμα συλλεκτών σε μια κορυφαία επιφάνεια ενός υποστρώματος ημιαγωγών, που διαμορφώνει το α μέσω της τρύπας μέσω του στρώματος εκπομπών, του στρώματος βάσεων, του στρώματος συλλεκτών και του υποστρώματος σε ένα συγκεκριμένο βάθος, και που παρέχει ένα στρώμα νεροχυτών θερμότητας φιαγμένο από μέταλλο σε μια οπίσθια επιφάνεια του υποστρώματος. Ένα ηλεκτρόδιο επιφάνειας του στρώματος εκπομπών και το στρώμα νεροχυτών θερμότητας συνδέονται η μια με την άλλη με μια γραμμή καλωδίωσης μετάλλων που τρέχει κατευθείαν μέσα μέσω της τρύπας, με αυτόν τον τρόπο που βελτιώνει την ακτινοβολία θερμότητας και που μειώνει την αυτεπαγωγή εκπομπών.
