Method for detecting whether the alignment of bit line contacts and active
areas in DRAM devices is normal, and a test device thereof. In the present
invention a plurality of memory cells are formed in the memory area and at
least one test device is formed in the scribe line region simultaneously.
A first resistance and a second resistance are detected by the test
device. Normal alignment of the bit line and the bar-type active area of
the test device is determined according to the first resistance and the
second resistance. Finally, whether the alignment of the bit line contacts
and the active areas in memory areas is normal is determined according to
whether the alignment of the bit line contact and bar-type active area of
the test device is normal.
Metodo per la rilevazione se l'allineamento della linea contatti e zone attive della punta in dispositivi di DRAM è normale e un dispositivo della prova di ciò. Nella presente invenzione una pluralità di cellule di memoria è formata nella zona di memoria ed almeno un dispositivo della prova è formato simultaneamente nel contrassegno regione. Una prima resistenza e una seconda resistenza sono rilevate dal dispositivo della prova. L'allineamento normale della linea della punta e del barra-tipo zona attiva del dispositivo della prova è determinato secondo la prima resistenza e la seconda resistenza. Per concludere, se l'allineamento della linea contatti e le zone attive della punta nelle zone di memoria è normale è determinato secondo come l'allineamento della linea contatto della punta e del barra-tipo zona attiva del dispositivo della prova sia normale.
