A semiconductor device having a plurality of electrothermal conversion
elements and a plurality of switching elements for flowing current through
the electrothermal conversion elements, respectively formed on a
semiconductor substrate of a first conductivity type, wherein each of the
switching elements is an insulated gate field effect transistor including:
a first semiconductor region of a second conductivity type opposite to the
first conductivity type, the first semiconductor region being formed on a
principal surface of the semiconductor substrate, a second semiconductor
region of the first conductivity type for providing a channel region, the
second semiconductor region being formed adjacent to the first
semiconductor region, a source region of the second conductivity type
formed in a surface layer of the second semiconductor region, a drain
region of the second conductivity type formed in a surface layer of the
first semiconductor region, and a gate electrode formed on a gate
insulating film on the channel region, and a resistivity of the
semiconductor substrate is 5 to 18 .OMEGA.cm, and the first semiconductor
region has a depth of 2.0 to 2.2 .mu.m along a depth direction of the
semiconductor substrate and an impurity concentration of 1.times.10.sup.14
to 1.times.10.sup.18 /cm.sup.3.
Μια συσκευή ημιαγωγών που έχει μια πολλαπλότητα των ηλεκτροθερμικών στοιχείων μετατροπής και μια πολλαπλότητα των στοιχείων μετατροπής για το διατρέχοντας ρεύμα των ηλεκτροθερμικών στοιχείων μετατροπής, αντίστοιχα διαμορφωμένη σε ένα υπόστρωμα ημιαγωγών ενός πρώτου τύπου αγωγιμότητας, όπου κάθε ένα από τα στοιχεία μετατροπής είναι μια μονωμένη κρυσταλλολυχνία επίδρασης τομέων πυλών συμπεριλαμβανομένου: μια πρώτη περιοχή ημιαγωγών ενός δεύτερου τύπου αγωγιμότητας απέναντι από τον πρώτο τύπο αγωγιμότητας, η πρώτη περιοχή ημιαγωγών που διαμορφώνεται σε μια κύρια επιφάνεια του υποστρώματος ημιαγωγών, μια δεύτερη περιοχή ημιαγωγών του πρώτου τύπου αγωγιμότητας για την παροχή μιας περιοχής καναλιών, η δεύτερη περιοχή ημιαγωγών που διαμορφώνονται δίπλα στην πρώτη περιοχή ημιαγωγών, μια περιοχή πηγής του δεύτερου τύπου αγωγιμότητας που διαμορφώνεται σε ένα στρώμα επιφάνειας της δεύτερης περιοχής ημιαγωγών, μια περιοχή αγωγών του δεύτερου τύπου αγωγιμότητας που διαμορφώνεται σε ένα στρώμα επιφάνειας της πρώτης περιοχής ημιαγωγών, και ένα ηλεκτρόδιο πυλών που διαμορφώνεται σε μια μονώνοντας ταινία πυλών στην περιοχή καναλιών, και μια ειδική αντίσταση του υποστρώματος ημιαγωγών είναι 5 η περιοχή ημιαγωγών έχει ένα βάθος του μu.μ 2,0 έως 2,2 κατά μήκος μιας κατεύθυνσης βάθους του υποστρώματος ημιαγωγών και μιας συγκέντρωσης ακαθαρσιών 1.times.10.sup.14 σε 1.times.10.sup.18/$l*cm.sup.3.
