A device manufacturing method capable of imaging structures on both sides
of a substrate, is presented herein. One embodiment of the present
invention comprises a device manufacturing method that etches reversed
alignment markers on a first side of a substrate to a depth of 10 .mu.m,
the substrate is flipped over, and bonded to a carrier wafer and then
lapped or ground to a thickness of 10 .mu.m to reveal the reversed
alignment markers as normal alignment markers. The reversed alignment
markers may comprise normal alignment patterns overlaid with mirror imaged
alignment patterns.
Un método de fabricación del dispositivo capaz de las estructuras de la proyección de imagen en ambos lados de un substrato, se presenta adjunto. Una encarnación de la actual invención abarca un método de fabricación del dispositivo que grabó al agua fuerte marcadores invertidos de la alineación en un primer lado de un substrato a una profundidad del mu.m 10, el substrato se mueve de un tirón encima, y se enlaza a una oblea del portador y después se traslapa o se muele a un grueso del mu.m 10 para revelar los marcadores invertidos de la alineación como marcadores normales de la alineación. Los marcadores invertidos de la alineación pueden abarcar el overlaid normal de los patrones de la alineación con los patrones reflejados de la alineación del espejo.
