In a semiconductor device, rewirings 3 for connecting a semiconductor chip
1a, a semiconductor chip 1b and external connecting terminals 4 with each
other are formed on the semiconductor chip 1a. An insulating resin 6
having opening portions in regions for forming the external connecting
terminals 4 at peripheral portion of the semiconductor chip 1a and another
opening portions in another region for mounting the semiconductor chip 1b
at the central of the semiconductor chip 1a is overlaid on the rewirings
3. The external connecting terminals 4 consisting of BGA are formed in the
opening portions of the regions for forming the external connecting
terminals 4 through lands 5. The semiconductor chip 1b is connected to
another opening portions of another region for mounting the semiconductor
chip 1b by flip-chip structure through electrodes 11 and bumps 8. A
junction surface of the bumps 8 is sealed by a sealing resin 7. The
semiconductor chip 1b is mounted on the same surface as that the external
connecting terminals 4 are formed. The under surface of the semiconductor
chip 1b is ground in order that the semiconductor chip 1b may be shorter
than the external connecting terminals 4. The semiconductor chip 1b is
thereby mounted with high density.
Σε μια συσκευή ημιαγωγών, να ξανακάνουν ηλεκτρική εγκατάσταση 3 για τη σύνδεση ενός τσιπ ημιαγωγών 1a, ενός τσιπ ημιαγωγών 1b και των εξωτερικών συνδέοντας τερματικών 4 η μια με την άλλη διαμορφώνονται στο τσιπ ημιαγωγών 1a. Μια μονώνοντας ρητίνη 6 που έχει τις ανοίγοντας μερίδες στις περιοχές για τη διαμόρφωση των εξωτερικών συνδέοντας τερματικών 4 στην απομακρυσμένη μερίδα του ημιαγωγού πελεκά 1a και μια άλλες ανοίγοντας μερίδες σε μια άλλη περιοχή για να τοποθετήσουν το τσιπ ημιαγωγών 1b στον κεντρικό του τσιπ ημιαγωγών 1a επιστρώνονται να ξανακάνουν ηλεκτρική εγκατάσταση 3. Τα εξωτερικά συνδέοντας τερματικά 4 που αποτελούνται από BGA διαμορφώνονται στις ανοίγοντας μερίδες των περιοχών για τη διαμόρφωση των εξωτερικών συνδέοντας τερματικών 4 μέσω των εδαφών 5. Το τσιπ ημιαγωγών 1b συνδέεται με μια άλλες ανοίγοντας μερίδες μιας άλλης περιοχής για να τοποθετήσει το τσιπ ημιαγωγών 1b με τη δομή κτύπημα-τσιπ μέσω των ηλεκτροδίων 11 και χτυπά 8. Μια επιφάνεια συνδέσεων των προσκρούσεων 8 σφραγίζεται από μια σφραγίζοντας ρητίνη 7. Το τσιπ ημιαγωγών 1b τοποθετείται στην ίδια επιφάνεια με αυτήν τα εξωτερικά συνδέοντας τερματικά 4 διαμορφώνεται. Η κατώτερη επιφάνεια του τσιπ ημιαγωγών 1b αλέθεται για το τσιπ ημιαγωγών 1b μπορεί να είναι κοντύτερο από τα εξωτερικά συνδέοντας τερματικά 4. Το τσιπ ημιαγωγών 1b με αυτόν τον τρόπο τοποθετείται με την υψηλή πυκνότητα.
