The present invention provides an LSI device polishing composition
containing water, abrasive grains, an organic acid, and an oxidizing
agent, and having a pH of 5.5-10.0 adjusted by an alkaline substance, the
LSI device polishing composition being used for polishing a
copper-containing metal wiring layer in which copper is deposited on an
insulating film via barrier metal formed of Ta or TaN; and a method for
producing LSI devices by use of the polishing composition. During
polishing of a barrier metal such as Ta or TaN and a copper wiring layer,
the rate of polishing Ta or TaN can be enhanced, to thereby prevent
dishing and erosion.
La presente invenzione fornisce una composizione di lucidatura nel dispositivo di LSI che contiene l'acqua, i grani abrasivi, un acido organico e un agente ossidante ed avente un pH di 5.5-10.0 registrati da una sostanza alcalina, la composizione di lucidatura nel dispositivo di LSI che usando per la lucidatura dello strato rame-contenente dei collegamenti del metallo in cui il rame è depositato su una pellicola isolante via il metallo della barriera formato dell'AT o del TaN; e un metodo per produrre i dispositivi di LSI per mezzo della composizione di lucidatura. Durante la lucidatura di un metallo della barriera quali l'AT o TaN e uno strato di rame dei collegamenti, il tasso della lucidatura l'AT o del TaN può essere aumentato, quindi per evitare che serve ed erosione.
