A GaN layer 32 grows in vertical direction on a GaN layer 31 where neither
a first mask 41m nor a second mask 42m is formed. When thickness of the
GaN layer 32 becomes larger than that of the first mask 41m, it began to
grown in lateral direction so as to cover the first mask 41m. Because the
second mask 42m is not formed on the upper portion of the first mask 41m,
the GaN layer 32 grows in vertical direction. On the contrary, at the
upper region of the GaN layer 31 where the mask 41m is not formed, the
second mask 42m is formed like eaves, the growth of the GaN layer 32 stops
and threading dislocations propagated with vertical growth also stops
there. The GaN layer 32 grows in vertical direction so as to penetrate the
region where neither the first mask 41m nor the second mask 42m is formed.
When the height of the GaN layer 32 becomes larger than that of the second
mask 42m, the GaN layer 32 begins to grow in lateral direction again and
covers the second mask 42m. After the GaN layer 32 completely covers the
second mask 42m, it began to grow in vertical direction.
Uma camada 32 de GaN cresce no sentido vertical em uma camada 31 de GaN onde nem uma primeira máscara 41m nem uma segunda máscara 42m são dadas forma. Quando a espessura da camada 32 de GaN se torna maior do que aquela da primeira máscara 41m, começou crescido no sentido lateral para cobrir a primeira máscara 41m. Porque a segunda máscara 42m não é dada forma na parcela superior da primeira máscara 41m, a camada 32 de GaN cresce no sentido vertical. No contrário, na região superior da camada 31 de GaN onde a máscara 41m não é dada forma, a segunda máscara 42m é dada forma como eaves, o crescimento da camada 32 de GaN para e enfiar os dislocations propagados com crescimento vertical para também lá. A camada 32 de GaN cresce no sentido vertical para penetrar a região onde nem a primeira máscara 41m nem a segunda máscara 42m são dadas forma. Quando a altura da camada 32 de GaN se torna maior do que aquela da segunda máscara 42m, a camada 32 de GaN começa a crescer outra vez no sentido lateral e cobre a segunda máscara 42m. Depois que a camada 32 de GaN cobre completamente a segunda máscara 42m, começou a crescer no sentido vertical.
