An ESD protection circuit comprising a substrate having a first
conductivity type, a well region having a second conductivity type, a
first doping region having the first conductivity type, and a second
doping region having the second conductivity type. The substrate is
coupled to the reference potential, the well region is formed on the
substrate and electrically coupled to the node, the first doping region is
electrically floated on the surface of the well region, and the second
doping region is disposed on the substrate and electrically coupled to the
reference potential. Moreover, the electrostatic discharge current of the
node provides a voltage with sufficient magnitude to breakdown the
conjunction interface between the well region and the substrate, also
triggering a BJT comprising the well region, substrate and the second
doping region for dissipating the electrostatic discharge current. The
first doping region, when its electrostatic discharge current is greater
than a predetermined current, reduces the potential difference between the
node and the reference potential.
Un circuito de la protección de ESD que abarca un substrato que tiene un primer tipo de la conductividad, una región bien que tiene un segundo tipo de la conductividad, una primera región de doping que tiene el primer tipo de la conductividad, y una segunda región de doping que tiene el segundo tipo de la conductividad. El substrato se junta al potencial de la referencia, la región bien se forma en el substrato y se junta eléctricamente al nodo, la primera región de doping se flota eléctricamente en la superficie de la región bien, y la segunda región de doping se dispone en el substrato y se junta eléctricamente al potencial de la referencia. Por otra parte, la corriente derivada electrostática del nodo provee de un voltaje suficiente magnitud a la interrupción el interfaz de la conjunción entre la región bien y el substrato, también accionando un BJT que abarca la región bien, el substrato y la segunda región de doping para disipar la corriente derivada electrostática. La primera región de doping, cuando su corriente derivada electrostática es mayor que una corriente predeterminada, reduce la diferencia potencial entre el nodo y el potencial de la referencia.
