According to the invention, a semiconductor component for the emission of
electromagnetic radiation, especially light, is made that has the
following features: an active layer for producing radiation, a p-type
contact that is electrically connected to the active layer, an n-type
contact that is electrically connected to the active layer, and a
current-confining structure to define a current path, with the
current-confining structure being provided between the n-type contact and
the active layer.
Volgens de uitvinding, wordt een halfgeleidercomponent voor de emissie van elektromagnetische straling, vooral licht, gemaakt dat de volgende eigenschappen heeft: een actieve laag voor het veroorzaken van straling, een p-type contact dat elektrisch met de actieve laag, een n-type contact wordt verbonden dat elektrisch met de actieve laag, en een huidig-beperkt structuur wordt verbonden om een huidige weg, met de huidig-beperkt structuur die te bepalen tussen het n-type contact en de actieve laag wordt verstrekt.
