A non-volatile memory (1) which comprises an insulating substrate (11)
having a plurality of first electrodes (15) extending therethrough from a
front surface of the substrate to a rear surface thereof, a second
electrode (12) formed on one surface side of the substrate (11), and a
recording layer (14) held between the first electrodes (15) and the second
electrode (12) and variable in resistance value by electric pulses applied
across the first electrodes (15) and the second electrode (12), the
plurality of first electrodes (15) being electrically connected to the
recording layer (14) in a region constituting a single memory cell (MC).
The non-volatile memory (1) can be reduced in power consumption and has
great freedom of design and high reliability.
Une mémoire non-volatile (1) qui comporte un substrat isolant (11) ayant une pluralité des premières électrodes (15) se prolongeant par là d'une surface avant du substrat à une surface arrière en, une deuxième électrode (12) formée d'un côté extérieur du substrat (11), et une couche d'enregistrement (14) tenue entre les premières électrodes (15) et la deuxième électrode (12) et variable en valeur de résistance par des impulsions électriques appliquées à travers les premières électrodes (15) et la deuxième électrode (12), la pluralité de premières électrodes (15) étant électriquement reliées à la couche d'enregistrement (14) dans une région constituant une cellule de mémoire simple (MC). La mémoire non-volatile (1) peut être réduite dans la puissance d'énergie et a la grande liberté de conception et de fiabilité élevée.
