A capacitor for a semiconductor device and a method of manufacturing a
capacitor for a semiconductor device is disclosed that uses radial current
flow. The capacitor includes a semiconductor substrate that includes a
plurality of insulation islands. An insulation layer is formed over the
semiconductor substrate. Gate electrodes are formed on top of the
insulation layer. An array of CD contact pads including a plurality of CD
contacts are connected to the semiconductor substrate in a first
predetermined number of locations. An array of CG contact pads including
at least one CG contact connected to the gate electrodes such that each CG
contact is connected to a respective gate electrode above a respective
insulation island in a second predetermined number of locations.
On révèle un condensateur pour un dispositif de semi-conducteur et une méthode de fabriquer un condensateur pour un dispositif de semi-conducteur qui emploie l'écoulement courant radial. Le condensateur inclut un substrat de semi-conducteur qui inclut une pluralité d'îles d'isolation. Une couche d'isolation est formée au-dessus du substrat de semi-conducteur. Des électrodes de porte sont formées sur la couche d'isolation. Une rangée de garnitures de contact de CD comprenant une pluralité de contacts de CD sont reliées au substrat de semi-conducteur dans un premier nombre prédéterminé d'endroits. Une rangée de garnitures de contact de CG. comprenant au moins un contact de CG. relié aux électrodes de porte tels que chaque contact de CG. est relié à une électrode de porte respective au-dessus d'une île respective d'isolation dans une deuxième a prédéterminé le nombre d'endroits.
