In one embodiment, a varactor includes a first node and a second node. The
varactor includes: at least one first varactor element including a source,
a drain, and a p-type doped gate; at least one second varactor element
including a source, a drain, and an n-type doped gate; and at least one
third varactor element including a source, a drain, and an intermediately
doped gate, the intermediately doped gate having doping characteristics
intermediate to doping characteristics of the p-type and n-type gates. The
varactor includes one or more wells in a substrate region underlying the
first, second, and third varactor elements. The first, second, and third
varactor elements are coupled in parallel between the first and second
nodes.
In één belichaming, omvat een halfgeleidende diode een eerste knoop en een tweede knoop. De halfgeleidende diode omvat: minstens één eerste halfgeleidende diodeelement met inbegrip van een bron, een afvoerkanaal, en een p-type smeerde poort; minstens één tweede halfgeleidende diodeelement met inbegrip van een bron, een afvoerkanaal, en een n-type smeerde poort; en minstens het element van de één derdehalfgeleidende diode met inbegrip van een bron, een afvoerkanaal, en een intermediately gesmeerde poort, de intermediately gesmeerde poort die het smeren van kenmerkentussenpersoon aan het smeren van kenmerken van p-type en de n-type poorten hebben. De halfgeleidende diode omvat één of meerdere putten in een substraatgebied dat aan de eerste, tweede, en derde halfgeleidende diodeelementen ten grondslag ligt. De eerste, tweede, en derde halfgeleidende diodeelementen zijn gekoppelde tegelijkertijd parallel tussen de eerste en tweede knopen.
