An electronic component package includes a case having a cavity portion
including an electronic component therein, and a lid member which is
fusion-welded to the case via a fusion-welding layer to hermetically seal
the cavity portion. The case has a first metal layer laminated on the case
so as to be exposed on the open side at the cavity portion. The lid member
has a core portion, and a second metal layer laminated on a side of the
core portion facing the case. The fusion-welding layer has a soldering
material layer formed of a soldering material, and first and second
intermetallic compound layers disposed on opposite sides of the soldering
material layer as a result of diffusion of a major component of the
soldering material into the first metal layer and the second metal layer.
The ratio of the area of the first and second intermetallic compound
layers in a longitudinal section of the fusion-welding layer relative to
the area of the longitudinal section of the fusion-welding layer is in a
range of from about 25% to about 98%. This package maintains superior
airtightness even when exposed to a high-temperature atmosphere, which is
higher than the melting point of the soldering material.
Ein Paket des elektronischen Bauelements schließt einen Fall ein, der einen Raumteil einschließlich ein elektronisches Bauelement darin haben, und ein Kappe Mitglied, das zum Fall über eine Schmelzverfahren-Schweißen Schicht Schmelzverfahren-geschweißt wird, um den Raumteil hermetisch zu versiegeln. Der Fall hat eine erste Metallschicht, die auf dem Fall lamelliert wird, damit auf der geöffneten Seite am Raumteil herausgestellt zu werden. Das Kappe Mitglied hat einen Kernteil und eine zweite Metallschicht, die auf einer Seite des Kernteils lamelliert wird, der den Fall gegenüberstellt. Die Schmelzverfahren-Schweißen Schicht hat eine lötende materielle Schicht, die von einem lötenden Material und von den zuerst und an zweiter Stelle halbleitende Verbindung Schichten abgeschaffen werden auf gegenüberliegenden Seiten der lötenden materiellen Schicht resultierend aus Diffusion (Zerstäubung) eines Hauptbestandteils des lötenden Materials in die erste Metallschicht und in die zweite Metallschicht gebildet wird. Das Verhältnis des Bereichs der ersten und zweiten halbleitende Verbindung Schichten in einem Längsprofil der Schmelzverfahren-Schweißen Schicht im Verhältnis zu dem Bereich des Längsprofils der Schmelzverfahren-Schweißen Schicht ist in einer Strecke von ungefähr 25% bis ungefähr 98%. Dieses Paket behält überlegene Luftundurchlässigkeit bei, selbst wenn herausgestellt einer Hochtemperaturatmosphäre, die höher als der Schmelzpunkt des lötenden Materials ist.
