A method for forming back-end-of-line (BEOL) interconnect structures in
disclosed. The method and resulting structure includes etchback for low-k
dielectric materials. Specifically, a low dielectric constant material is
integrated into a dual or single damascene wiring structure which contains
a dielectric material having relatively high dielectric constant (i.e.,
4.0 or higher). The damascene structure comprises the higher dielectric
constant material immediately adjacent to the metal interconnects, thus
benefiting from the mechanical characteristics of these materials, while
incorporating the lower dielectric constant material in other areas of the
interconnect level.
Um método para dar forma à para trás-extremidade-$$$-LINHA (BEOL) estruturas do interconnect no divulgado. A estrutura do método e resultar inclui etchback para materiais dieléctricos baixos-k. Especificamente, um material baixo da constante dieléctrica é integrado em uma estrutura damascene dupla ou única da fiação que contenha um material dieléctrico que tem a constante dieléctrica relativamente elevada (isto é, 4.0 ou mais elevado). A estrutura damascene compreende o material mais elevado da constante dieléctrica imediatamente junto ao metal interconecta, assim beneficiando-se das características mecânicas destes materiais, ao incorporar o material mais baixo da constante dieléctrica em outras áreas do nível do interconnect.
