Emission process for a single photon, corresponding semiconducting device and manufacturing process

   
   

An integrated circuit includes a semiconductor device forming a single photon source, and includes a MOS transistor on a silicon substrate. The MOS transistor has a mushroom shaped gate for outputting a single electron on its drain in a controlled manner in response to a control voltage applied to its gate. The transistor also includes at least one silicon compatible quantum box. The quantum box is electrically coupled to the drain region of the transistor, and is capable of outputting a single photon on reception of a single electron emitted by the transistor.

Un circuit intégré inclut un dispositif de semi-conducteur formant une source simple de photon, et inclut un transistor de MOS sur un substrat de silicium. Le transistor de MOS a une porte formée par champignon pour produire un électron simple sur son drain d'une façon commandée en réponse à une tension de commande appliquée à sa porte. Le transistor inclut également au moins une boîte compatible de quantum de silicium. La boîte de quantum est électriquement couplée à la région de drain du transistor, et est capable de produire un photon simple à la réception d'un électron simple émis par le transistor.

 
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