A bipolar transistor structure includes trench isolation dielectric
material formed in a semiconductor substrate to define a substrate active
device region. A collector region is formed beneath the surface of the
active device region. A base region is formed in the active device region
above the collector region and extends to the surface of the active device
region. A layer of dielectric material is formed to extend at least
partially over the trench isolation and over the surface of the base
region. A layer of doped polysilicon is formed over the layer of
dielectric material and extends over the edge of the layer of dielectric
material and over the surface of the base region. The doped polysilicon is
patterned to define a polysilicon emitter region that extends over the
edge of the layer of dielectric material to provide an ultra-small emitter
contact on the surface of the base region. Heating of the doped
polysilicon causes dopant to diffuse into the polysilicon emitter contact
through the surface of the base region beneath the polysilicon emitter
contact. Dielectric sidewall spacers are formed on the sidewalls of the
polysilicon emitter region to electrically isolate the polysilicon emitter
sidewalls.
Una struttura bipolare del transistore include il materiale dielettrico di isolamento della trincea formato in un substrato a semiconduttore per definire una regione attiva del dispositivo del substrato. Una regione di collettore è formata sotto la superficie della regione attiva del dispositivo. Una regione bassa è formata nella regione attiva del dispositivo sopra la regione di collettore ed estendere alla superficie della regione attiva del dispositivo. Uno strato di materiale dielettrico è formato per estendersi almeno parzialmente sopra l'isolamento e l'eccedenza della trincea la superficie della regione bassa. Uno strato di polysilicon verniciato è formato sopra lo strato di materiale dielettrico e si estende sopra il bordo dello strato di materiale e dell'eccedenza dielettrici la superficie della regione bassa. Il polysilicon verniciato è modellato per definire una regione dell'emettitore del polysilicon che si estende sopra il bordo dello strato di materiale dielettrico per fornire un ultra-piccolo contatto dell'emettitore sulla superficie della regione bassa. Il heating del polysilicon verniciato induce il dopant a diffondersi nel contatto dell'emettitore del polysilicon attraverso la superficie della regione bassa sotto il contatto dell'emettitore del polysilicon. I distanziatori dielettrici del muro laterale sono formati sui muri laterali della regione dell'emettitore del polysilicon per isolare elettricamente i muri laterali dell'emettitore del polysilicon.
