To provide a semiconductor device which makes it possible to avoid
deterioration in the step coverage property at a gate electrode provided
on an operating region and decrease a leakage current between the
operating region and the gate electrode. The semiconductor device arranged
as a HEMT is made to include an operating region composed of multilayer
films, such as a channel layer, an electron supplying layer and other
semiconductor layer, and having an island structure independently
mesa-isolated from one another. The semiconductor device also includes a
gate electrode and an impurity diffusion layer provided on the surface of
the operating region, the impurity diffusion layer being doped with an
impurity having a conductivity type inverse to the impurity doped into the
electron supplying layer.
Обеспечить прибора на полупроводниках делает его по возможности избежать ухудшения качества в свойстве охвата шага на электроде строба обеспеченном на работая зоне и уменьшить течения утечки между работая зоной и электродом строба. Прибора на полупроводниках аранжированный как hemt сделан для того чтобы включить работая зону составленную разнослоистых пленок, such as слой канала, слоя электрона поставляя и другого слоя полупроводника, и иметь структуру острова независимо мез-izolirovannuh от одного другое. Прибора на полупроводниках также вклюает электрод строба и слой обеспеченные на поверхности работая зоны, слой диффузии примеси диффузии примеси будучи данным допинг при примесь имея inverse типа проводимости к примеси данной допинг в слой электрона поставляя.
