A semiconductor device has a structure in which a GaAs substrate and an InP
substrate, different in lattice constant, are bonded to each other. An
amorphous layer made of constituent atoms of the GaAs and InP substrates
is formed at the interface between the GaAs and InP substrates. Forming
the amorphous layer makes it possible to prevent a reduction of
light-emitting efficiency caused by a thermal stress at the interface,
even when a light-emitting layer by laser oscillation is formed near the
interface. Besides, a linear current-voltage characteristic can be
obtained at the interface.
Um dispositivo de semicondutor tem uma estrutura em que uma carcaça do GaAs e uma carcaça do InP, diferentes na constante do lattice, se são ligadas. Uma camada amorfa feita de átomos constituent das carcaças do GaAs e do InP é dada forma na relação entre as carcaças do GaAs e do InP. Dar forma à camada amorfa faz possível impedir uma redução da eficiência light-emitting causada por um stress térmico na relação, mesmo quando uma camada light-emitting pela oscilação do laser é dada forma perto da relação. Adicionalmente, uma característica current-voltage linear pode ser obtida na relação.
