The present invention is to provide an image sensor, including: a
semiconductor substrate of a first conductive type: a peripheral circuit
formed on a first region of the semiconductor substrate, wherein a ground
voltage level is applied to the first region; a unit pixel array having a
plurality of unit pixels formed on a second region of the semiconductor
substrate, wherein the first region is isolated from the second region and
wherein a negative voltage level is applied to the second region; and a
negative voltage generator for providing the negative voltage for the
second region.
Die anwesende Erfindung soll einen Bild-Sensor zur Verfügung stellen und schließt ein: ein Halbleitersubstrat einer ersten leitenden Art: ein Zusatzstromkreis bildete sich auf einer ersten Region des Halbleitersubstrates, worin eine Grund-Spannungshöhe an der ersten Region angewendet wird; eine Maßeinheit Pixelreihe, die eine Mehrzahl der Maßeinheit Pixel gebildet auf einer zweiten Region des Halbleitersubstrates hat, worin die erste Region von der zweiten Region lokalisiert wird und worin eine negative Spannungshöhe an der zweiten Region angewendet wird; und ein negativer Spannung Generator für das Zur Verfügung stellen der negativen Spannung für die zweite Region.
