A layer of antireflective coating (ARC) material for use in
photolithographic processing. In one embodiment the ARC material has the
formula Si.sub.w O.sub.x H.sub.y :C.sub.z, where w, x, y and z represent
the atomic percentage of silicon, oxygen, hydrogen and carbon,
respectively, in the material and where w is between 35 and 55, x is
between 35 and 55, y is between 4 and 15, z is between 0 and 3 and the
atomic percentage of nitrogen in the material is less than or equal to 1
atomic percent.
Ένα στρώμα του antireflective υλικού επιστρώματος (ARC) για τη χρήση στη φωτολιθογραφική επεξεργασία. Σε μια ενσωμάτωση που το υλικό ARC έχει τον τύπο Si.sub.w O.sub.x H.sub.y :C.sub.z, όπου το W, το Χ, το Υ και το ζ αντιπροσωπεύουν το ατομικό ποσοστό του πυριτίου, του οξυγόνου, του υδρογόνου και του άνθρακα, αντίστοιχα, στο υλικό και πού το W είναι μεταξύ 35 και 55, Χ είναι μεταξύ 35 και 55, το Υ είναι μεταξύ 4 και 15, το ζ είναι μεταξύ 0 και 3 και το ατομικό ποσοστό του αζώτου στο υλικό είναι λιγότερο ή ίσο προς 1 ατομικό τοις εκατό.
