A semiconductor device includes: a silicon substrate; a source/drain region
formed in the substrate including a lightly doped region and an adjacent
heavily doped region, the depth of the heavily doped region being greater
than the depth of the lightly doped region; a gate oxide layer on the
silicon substrate; and a notched gate electrode on the substrate, the
notched gate electrode including a notch along an outer side surface of a
lower portion such that a top portion of the notched gate electrode is
wider than the lower portion, the gate oxide layer extending between the
interface of the notched gate electrode and the substrate, and a gate poly
oxide layer provided along an outer side surface of the notched gate
electrode and along an inner wall of the notch, a portion of the lightly
doped region being under the notch.
Прибора на полупроводниках вклюает: субстрат кремния; зона source/drain сформировала в субстрате включая светло данную допинг зону и смежную тяжело данную допинг зону, глубину тяжело данной допинг зоны greater than глубина светло данной допинг зоны; слой окиси строба на субстрате кремния; и зазубрин электрод строба на субстрате, зазубрин электрод строба включая зазубрину вдоль наружной бортовой поверхности более низкой части такие что верхняя часть зазубрин электрода строба широке чем более низкая часть, слой окиси строба удлиняя между поверхностью стыка зазубрин электрода строба и субстрат, и слой окиси строба поли обеспечили вдоль наружной бортовой поверхности зазубрин электрода строба и вдоль внутренней стены зазубрины, части светло данной допинг зоны находясь под зазубриной.
