An active matrix substrate includes a gate electrode, a gate insulating
film, a semiconductor layer, a source electrode and a drain electrode,
which are sequentially deposited on an insulating substrate. A transparent
conductive layer is deposited on the source and drain electrodes so that
the transparent conductive layer includes a portion deposited to be
substantially the same pattern as those of the source and drain
electrodes. The transparent conductive layer is connected to either the
source electrode or the drain electrode to form a pixel electrode. A gate
line is further included on which the gate insulating film is deposited.
The gate line is to be connected to the gate electrode.
Un substrato activo de la matriz incluye un electrodo de puerta, una película aislador de la puerta, una capa del semiconductor, un electrodo de la fuente y un electrodo del dren, que se depositan secuencialmente en un substrato aislador. Una capa conductora transparente se deposita en los electrodos de la fuente y del dren de modo que la capa conductora transparente incluya una porción depositada para ser substancialmente el mismo patrón que los de los electrodos de la fuente y del dren. La capa conductora transparente está conectada con el electrodo de la fuente o el electrodo del dren para formar un electrodo del pixel. Una línea de la puerta se incluye más a fondo en cuál se deposita la película aislador de la puerta. La línea de la puerta debe ser conectada con el electrodo de puerta.
