A field emission device, which among other things may be used within an
ultra-high density storage system, is disclosed. The emitter device
includes an emitter electrode, an extractor electrode, and a solid-state
field controlled emitter that utilizes a Schottky metal-semiconductor
junction or barrier. The Schottky metal-semiconductor barrier is formed on
the emitter electrode and electrically couples with the extractor
electrode such that when an electric potential is placed between the
emitter electrode and the extractor electrode, a field emission of
electrons is generated from an exposed surface of the semiconductor layer.
Further, the Schottky metal may be selected from typical conducting layers
such as platinum, gold, silver, or a conductive semiconductor layer that
is able to provide a high electron pool at the barrier. The semiconductor
layer placed on the Schottky metal is typically very weakly conductive of
n-type and has a wide band gap in order to create conditions conducive to
creating induced negative electron affinity at applied fields necessary to
provide electron emission. One type of wide band-gap material can be
selected from titanium dioxide or titanium nitride or other comparable
materials.
Eine auffangenemissionvorrichtung, die innerhalb eines Ultrahochdichtespeichersystems unter anderem benutzt werden kann, wird freigegeben. Die Emittervorrichtung schließt eine Emitterelektrode, eine Auszieherelektrode mit ein, und ein Festkörper fangen kontrollierten Emitter auf, der eine Schottky Metall-Halbleiter Verzweigung oder eine Sperre verwendet. Die Schottky Metall-Halbleiter Sperre wird auf der Emitterelektrode gebildet und elektrisch mit der Auszieherelektrode so daß, wenn ein elektrisches Potential zwischen die Emitterelektrode und die Auszieherelektrode gesetzt wird, eine auffangenemission der Elektronen wird erzeugt von einer herausgestellten Oberfläche der Halbleiterschicht verbindet. Weiter kann das Schottky Metall von den typischen Leitschichten wie Platin, Gold, Silber oder einer leitenden Halbleiterschicht vorgewählt werden, die ist, eine hohe Elektronlache an der Sperre zur Verfügung zu stellen. Die Halbleiterschicht, die auf das Schottky Metall gesetzt wird, ist gewöhnlich sehr schwach von der Nart leitend und hat einen breiten Bandabstand, zwecks die Bedingungen zu verursachen, die zum Verursachen der verursachten negativen Elektronaffinität an angewandtem förderlich sind, auffängt notwendiges, Elektronemission zur Verfügung zu stellen. Eine Art breites Band-Abstand Material kann vom Titandioxid- oder Titannitrid oder von anderen vergleichbaren Materialien vorgewählt werden.
