To provide a semiconductor wafer having crystal orientations of a wafer for
the support substrate and a wafer for the device formation shifted from
each other, wherein two kinds of wafers having different crystal
orientations in which a notch or an orientation flat is to be provided do
not need to be prepared. One of two semiconductor wafers having a notch or
an orientation flat provided in the same crystal orientation <110>
is set to be a wafer (1) for the support substrate and the other is set to
be a wafer for the device formation. Both wafers are bonded with the
notches or orientation flats shifted from each other (for example, a
crystal orientation <100> of the wafer for the device formation and
the crystal orientation <110> of the wafer (1) for the support
substrate are set to the same direction). The wafer for the device
formation is divided to obtain an SOI layer (3). A MOS transistor (TR1) or
the like is formed on the SOI layer (3).
Για να παρέχει μια γκοφρέτα ημιαγωγών που έχει τους προσανατολισμούς κρυστάλλου μιας γκοφρέτας για το υπόστρωμα υποστήριξης και μιας γκοφρέτας για τη συσκευή ο σχηματισμός μετατοπίστηκε ο ένας από τον άλλον, όπου δύο είδη γκοφρετών που έχουν τους διαφορετικούς προσανατολισμούς κρυστάλλου στους οποίους μια εγκοπή ή ένα επίπεδο προσανατολισμού πρόκειται να παρασχεθεί δεν πρέπει να προετοιμαστούν. Η μια από δύο γκοφρέτες ημιαγωγών που έχουν μια εγκοπή ή ένα επίπεδο προσανατολισμού παρασημένο στον ίδιο προσανατολισμό κρυστάλλου τίθεται ως στόχος να είναι μια γκοφρέτα (1) για το υπόστρωμα υποστήριξης και άλλη τίθεται ως στόχος να είναι μια γκοφρέτα για το σχηματισμό συσκευών. Και οι δύο γκοφρέτες συνδέονται με τις εγκοπές ή τα επίπεδα προσανατολισμού που μετατοπίζονται η μια από την άλλη (παραδείγματος χάριν, ένας προσανατολισμός κρυστάλλου της γκοφρέτας για το σχηματισμό συσκευών και ο προσανατολισμός κρυστάλλου της γκοφρέτας (1) για το υπόστρωμα υποστήριξης τίθενται την ίδια κατεύθυνση). Η γκοφρέτα για το σχηματισμό συσκευών διαιρείται για να λάβει ένα SOI στρώμα (3). Μια κρυσταλλολυχνία MOS (TR1) ή οι όμοιοι διαμορφώνεται στο SOI στρώμα (3).
