The controllable semiconductor switching element blocks in both directions.
The semiconductor switching element is formed with a first conduction
region and a second conduction region of a first type of conductivity, a
blocking region of a second type of conductivity which is disposed between
the first and second conducting regions, and a control electrode which is
arranged opposite the blocking region and insulated from it. A
recombination region is configured in the blocking region and is comprised
of a material that promotes a recombination of charge carriers of the
first and second type of conductivity.
Οι ελέγξιμοι φραγμοί στοιχείων μετατροπής ημιαγωγών και στις δύο κατευθύνσεις. Το στοιχείο μετατροπής ημιαγωγών διαμορφώνεται με μια πρώτη περιοχή διεξαγωγής και μια δεύτερη περιοχή διεξαγωγής ενός πρώτου τύπου αγωγιμότητας, μια εμποδίζοντας περιοχή ενός δεύτερου τύπου αγωγιμότητας που διατίθεται μεταξύ του πρώτου και του δευτερολέπτου διευθύνοντας τις περιοχές, και ένα ηλεκτρόδιο ελέγχου που τακτοποιείται απέναντι από την εμποδίζοντας περιοχή και μονώνεται από την. Μια περιοχή επανασυνδυασμού διαμορφώνεται στην εμποδίζοντας περιοχή και αποτελείται από ένα υλικό που προωθεί έναν επανασυνδυασμό των μεταφορέων δαπανών του πρώτου και δεύτερου τύπου αγωγιμότητας.
