A capacitive element C.sub.1 having a small leakage current is formed by
utilizing a gate oxide film 9B thicker than that of a MISFET of a logic
section incorporated in a CMOS gate array, without increasing the number
of steps of manufacturing the CMOS gate array. The capacitive element
C.sub.1 has a gate electrode 10E. A part of the gate electrode 10E is made
of a polycrystalline silicon film. The polycrystalline silicon film is
doped with n-type impurities, so that the capacitive element may reliably
operate even at a low power supply voltage.
Un élément capacitif C.sub.1 ayant un petit courant de fuite est constitué en utilisant un film 9B d'oxyde de porte plus profondément que cela d'un MISFET d'une section de logique incorporée dans une rangée de porte de CMOS, sans augmenter le nombre d'étapes de fabriquer la rangée de porte de CMOS. L'élément capacitif C.sub.1 a une électrode de porte 10E. Une pièce de l'électrode de porte 10E est faite d'un film polycristallin de silicium. Le film polycristallin de silicium est enduit du n-type impuretés, de sorte que l'élément capacitif puisse sûrement fonctionner même à une basse tension d'alimentation d'énergie.
