A semiconductor device of the present invention has (1) an active element
provided on a semiconductor substrate, (2) an interlayer insulating film
formed so as to cover the active element, (3) a pad metal for an electrode
pad which is provided on the interlayer insulating film, (4) a barrier
metal layer which is provided on the active element with the interlayer
insulating film therebetween, so that the pad metal is formed on the
barrier metal layer, and (5) an insulating layer having high adherence to
the barrier metal layer, the insulating layer being provided between the
interlayer insulating film and the barrier metal layer. With this
arrangement, the adherence between the barrier metal layer, the insulating
film and the interlayer insulating film is surely improved, and even in
the case where an external force is applied to the electrode pad upon
bonding or after bonding, the barrier metal layer hardly comes off the
part thereunder. Therefore, the breakdown of a level difference
compensating film, and the exfoliation of the barrier metal layer from the
interlayer insulating film can be prevented, while the semiconductor
device of the area pad structure featuring lower costs, high quality, and
high liability is constantly mass-produced. Besides, the yield of the
semiconductor device is surely improved.
Een halfgeleiderapparaat van de onderhavige uitvinding heeft (1) een actief element dat op een halfgeleidersubstraat wordt verschaft, (2) een tussenlaag isolerende film wordt gevormd die om het actieve element te behandelen, (3) een stootkussenmetaal voor een elektrodenstootkussen dat op de tussenlaag isolerende film wordt verstrekt, (4) een laag van het barrièremetaal die op het actieve element van de tussenlaag isolerende film therebetween worden voorzien, zodat het stootkussenmetaal op de laag van het barrièremetaal wordt gevormd, en (5) een het isoleren laag die hoge aanhankelijkheid heeft aan de laag van het barrièremetaal, de het isoleren laag tussen de tussenlaag isolerende film worden verstrekt en de laag die van het barrièremetaal. Met deze regeling, is de aanhankelijkheid tussen de laag van het barrièremetaal, de isolerende film en de tussenlaag isolerende film zeker beter, en zelfs in het geval waar een externe kracht wordt toegepast op het elektrodenstootkussen op het plakken of na het plakken, komt de laag van het barrièremetaal nauwelijks daaronder van het deel. Daarom kunnen de analyse van een niveauverschil het compenseren film, en de afschilfering van de laag van het barrièremetaal van de tussenlaag isolerende film worden verhinderd, terwijl het halfgeleiderapparaat van de structuur die van het gebiedsstootkussen lagere kosten, hoogstaand, en hoge aansprakelijkheid kenmerkt constant in massa wordt geproduceerd. Bovendien, de opbrengst van het halfgeleiderapparaat is zeker beter.
