Post-passivation thick metal pre-routing for flip chip packaging

   
   

The present invention includes a semiconductor package and a method of making the semiconductor package. The semiconductor package comprises an IC chip and a substrate, wherein part of the substrate routing such as substrate level trace routing is placed on the IC chip using post-passivation thick metal process at wafer level.

La actual invención incluye un paquete del semiconductor y un método de hacer el paquete del semiconductor. El paquete del semiconductor abarca una viruta del IC y un substrato, en donde la parte de la encaminamiento del substrato tal como encaminamiento del rastro del nivel del substrato se pone en la viruta del IC usando proceso grueso del metal de la poste-pasivacio'n en el nivel de la oblea.

 
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< Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

< Semiconductor device having active element connected to an electrode metal pad via a barrier metal layer and interlayer insulating film

> Semiconductor package

> Via plug adapter

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