Since each wiring line is formed on one surface of the associated beam at a
prescribed width over the entire length of the beam, the beam has the same
sectional shape taken in the width direction at any point along an
arbitrary longitudinal direction of the beam. As a result, the second
moment of area, which is determined by the shapes of the beam and the
wiring line, is uniform. This prevents a problem of the curvature of a
beam varying locally when the beam is bent by a prescribed amount due to
contact of the probe with a pad of a subject body. This, in turn, prevents
local concentration of stress in the beams and thereby prevents breakage
of the beam. Therefore, the probe structure can be miniaturized while the
strength of the beams is kept at a required level, whereby a semiconductor
device testing apparatus capable of accommodating many probes can be
realized.
Desde que cada linha da fiação é dada forma em uma superfície do feixe associado em uma largura prescrita sobre o comprimento inteiro do feixe, o feixe tem a mesma forma secional feita exame no sentido da largura em algum ponto ao longo de um sentido longitudinal arbitrário do feixe. Em conseqüência, o segundo momento da área, que é determinada pelas formas do feixe e da linha da fiação, é uniforme. Isto impede um problema da curvatura de um feixe que varia localmente quando o feixe é dobrado por uma quantidade prescrita devido ao contato da ponta de prova com uma almofada de um corpo sujeito. Isto, por sua vez, impede a concentração local do stress nos feixes e impede desse modo a ruptura do feixe. Conseqüentemente, a estrutura da ponta de prova pode ser miniaturizada quando a força dos feixes for mantida em um nível requerido, por meio de que um instrumento testando do dispositivo de semicondutor capaz de acomodar muitas pontas de prova pode ser realizado.
