Surface-functionalized inorganic semiconductor particles as electrical semiconductors for microelectronics applications

   
   

A semiconductor device has a first contact, by which charge carriers are injected into a semiconductor path, and a second contact, by which the charge carriers are extracted from the semiconductor path. The semiconductor path is formed by surface-modified semiconductor particles that bear alkyl or aryl ligands at their surface. The modification with ligands enables the semiconductor particles to form a stable dispersion that can easily be applied to a substrate with a printing technique. Consequently, the semiconductor device according to the invention can be produced very easily and inexpensively.

Um dispositivo de semicondutor tem um primeiro contato, por que os portadores da carga são injetados em um trajeto do semicondutor, e um segundo contato, por que os portadores da carga são extraídos do trajeto do semicondutor. O trajeto do semicondutor é dado forma pelas partículas superfície-modificadas do semicondutor que carregam ligands alkyl ou aryl em sua superfície. A modificação com ligands permite as partículas do semicondutor de dar forma a uma dispersão estável que possa fàcilmente ser aplicada a uma carcaça com uma técnica imprimindo. Conseqüentemente, o dispositivo de semicondutor de acordo com a invenção pode ser produzido muito fàcilmente e barata.

 
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