A semiconductor laser device and module for use in a dense wavelength
division multiplexed optical communications system are shown. The laser
device preferably has cavity lengths greater than 1000 .mu.m, and
compressive strain multi-quantum well active layer, and front-facet
reflectivity of less than about 4%. Higher optical outputs by longer
cavity lengths are achieved. Preferred modules use these laser diodes with
external wavelength-selective reflectors that have narrow bandwidths of 3
nm or less, and which include a plurality of longitudinal mode subpeaks
within the bandwidth. Relationships between reflectivity value of the
front facet and the peak reflectivity of the wavelength-selective
reflector for long cavity length laser device are also disclosed, with the
relationships providing higher output power along with a stabilized output
spectrum.
Un dispositivo y el módulo del laser del semiconductor para el uso en un sistema de comunicaciones ópticas multiplexado división densa de la longitud de onda se demuestran. El dispositivo del laser tiene preferiblemente el mu.m de 1000 de las longitudes de la cavidad mayor, y la capa activa de la tensión del pozo compresivo del multi-quantum, y reflectividad de la delantero-faceta de menos que el cerca de 4%. Salidas ópticas más altas por longitudes más largas de la cavidad se alcanzan. Los módulos preferidos utilizan estos diodos del laser con los reflectores longitud de onda-selectivos externos que tienen anchuras de banda estrechas de 3 nm o menos, y que incluyen una pluralidad de subpeaks longitudinales del modo dentro de la anchura de banda. Las relaciones entre el valor de la reflectividad de la faceta delantera y la reflectividad máxima del reflector longitud de onda-selectivo para el dispositivo largo del laser de la longitud de la cavidad también se divulgan, con las relaciones proporcionando una energía más alta de la salida junto con un espectro estabilizado de la salida.
