The present invention relates to a ridge-stripe semiconductor laser device
and a process for producing the same. More specifically, the object of the
present invention is to control the formation of cavities at the side of
the ridge without adding any step, and to provide a ridge stripe
semiconductor laser device with good properties by strictly controlling
its ridge width and a process for producing the same. Thereby, it is
possible to form a ridge whose sidewalls stand almost vertically.
De onderhavige uitvinding heeft op een van de rand-streep apparaat halfgeleiderlaser en een proces om het zelfde betrekking te produceren. Specifieker, is het doel van de onderhavige uitvinding de vorming van holten aan de kant van de rand te controleren zonder enige stap toe te voegen, en een apparaat van de de halfgeleiderlaser van de randstreep te voorzien van goede eigenschappen door zijn randbreedte en strikt een proces te controleren om het zelfde te produceren. Daardoor, is het mogelijk om een rand te vormen de waarvan zijwanden zich bijna verticaal bevinden.
