Optical amplifier according to the present invention is provided with an
EDF, a light source device having a semiconductor laser element that
generates an excitation beam and a housing that accommodates this, and an
optical multiplexer having an input optically coupled with light source
device, an input that receives the signal beam, and an output that
provides an excitation beam and signal beam to EDF. Semiconductor laser
element has an active layer, provided between cladding layers and
including compound semiconductors of mutually different conductivity
types, that includes a compound semiconductor and is constructed such that
the oscillation wavelength at 20.degree. C. of this semiconductor laser
element is less than 1470 nm but not less 1440 nm. If this is done, the
change of gain in EDF with respect to oscillation wavelength can be made
satisfactorily small and the NF can be made satisfactorily small.
L'amplificateur optique selon la présente invention est équipé de FED, un dispositif de source lumineuse ayant un élément de laser de semi-conducteur qui produit d'un faisceau d'excitation et un logement qui adapte à ceci, et un multiplexeur optique ayant une entrée optiquement couplée au dispositif de source lumineuse, une entrée qui reçoit le faisceau de signal, et un résultat qui fournit un faisceau d'excitation et le faisceau de signal au FED. L'élément de laser de semi-conducteur a une couche active, si entre les couches de revêtement et inclure les semi-conducteurs composés des types mutuellement différents de conductivité, qui inclut un semi-conducteur composé et est construite tels que la longueur d'onde d'oscillation à 20.degree. Le C. de cet élément de laser de semi-conducteur est moins de nm 1470 mais pas moins nm 1440. Si ceci est fait, le changement du gain en FED en ce qui concerne la longueur d'onde d'oscillation peut être rendu d'une manière satisfaisante petit et le NF peut être rendu d'une manière satisfaisante petit.
