A semiconductor laser performs high-speed modulation with a low-capacitance
structure. The laser comprises a multilayered growth layer which is
electrically isolated from a substrate and includes an active layer
between a lower semiconductor layer of first conductivity type and an
upper semiconductor layer of second conductivity type. A ridge is formed
on the surface of the multilayer without reaching the active layer, and an
insulating film is formed on the substrate main surface except for the
ridge upper surface. An electrode contacts the second conductivity type
semiconductor layer on the ridge upper surface and extends onto the
insulating film beyond a second isolation trench, and an electrode which
deviates from above the ridge is formed on the insulating film on a first
isolation trench side and contacts the first conductivity type
semiconductor layer located below the active layer.
Un laser del semiconductor realiza la modulación de alta velocidad con una estructura de la bajo-capacitancia. El laser abarca una capa de varias capas del crecimiento que se aísle eléctricamente de un substrato e incluye una capa activa entre una capa más baja del semiconductor de primer tipo de la conductividad y una capa superior del semiconductor de segundo tipo de la conductividad. Un canto se forma en la superficie del de múltiples capas sin alcanzar la capa activa, y una película aislador se forma en la superficie principal del substrato a excepción de la superficie superior del canto. Un electrodo entra en contacto con el segundo tipo capa de la conductividad del semiconductor en la superficie superior del canto y extiende sobre la película aislador más allá de un segundo foso del aislamiento, y un electrodo que se desvía sobre del canto se forma en la película aislador en un primer lado del foso del aislamiento y entra en contacto con el primer tipo capa de la conductividad del semiconductor situada debajo de la capa activa.
