A nitride semiconductor laser device includes a first-conductivity-type
cladding layer formed of a nitride semiconductor material; an active layer
formed of a nitride semiconductor material; and a second-conductivity-type
cladding layer formed of a nitride semiconductor material. The
first-conductivity-type cladding layer has a first main surface and a
second main surface, the first main surfaces being closer to the active
layer from the second main surface, and includes a first-conductivity-type
first cladding layer and a first-conductivity-type second cladding layer
having a different composition from that of the first-conductivity-type
first cladding layer, which are provided in this order from the first main
surface. The first-conductivity-type first cladding layer has a refractive
index lower than that of the first-conductivity-type second cladding
layer.
Een de laserapparaat van de nitridehalfgeleider omvat een laag van de eerste-geleidingsvermogen-typebekleding die van een materiaal van de nitridehalfgeleider wordt gevormd; een actieve laag die van een materiaal van de nitridehalfgeleider wordt gevormd; en een laag van de tweede-geleidingsvermogen-typebekleding die van een materiaal van de nitridehalfgeleider wordt gevormd. De laag van de eerste-geleidingsvermogen-typebekleding heeft een eerste hoofdoppervlakte en een tweede hoofdoppervlakte, de eerste belangrijkste oppervlakten die dichter aan de actieve laag van de tweede belangrijkste oppervlakte, en omvat een laag van de eerste-geleidingsvermogen-type eerste bekleding en een laag die van de eerste-geleidingsvermogen-type tweede bekleding een verschillende samenstelling van dat van de laag van de eerste-geleidingsvermogen-type eerste bekleding hebben zijn, die in deze orde van de eerste belangrijkste oppervlakte worden verstrekt. De laag van de eerste-geleidingsvermogen-type eerste bekleding heeft r i lager dan dat van de laag van de eerste-geleidingsvermogen-type tweede bekleding.
