The present invention provides a nitride semiconductor laser by which
stable high power room-temperature continuous-wave oscillation in
fundamental mode is possible. A semiconductor laser diode comprising: a
GaN layer; a first conductive type nitride semiconductor layer formed on
said GaN layer and made of Al.sub.x Ga.sub.1-x
N(0.04.ltoreq.x.ltoreq.0.08); a first conductive type clad layer formed on
said first conductive type nitride semiconductor layer and made of nitride
semiconductor; a core area formed on said first conductive type clad layer
and made of nitride semiconductor, said core area including an active
layer to emit light by electric current injection; and a second conductive
type clad layer formed on said core area and made of nitride
semiconductor.
La présente invention fournit un laser de semi-conducteur de nitrure par lequel la température ambiante stable de puissance élevée continu-ondulent l'oscillation en mode fondamental est possible. Une comportement de diode de laser de semi-conducteur : une couche de GaN ; un premier type conducteur couche de semi-conducteur de nitrure formée sur ladite couche de GaN et faite d'al.sub.x Ga.sub.1-x N(0.04.ltoreq.x.ltoreq.0.08) ; un premier type conducteur couche plaquée formée sur ledit premier type conducteur couche de semi-conducteur de nitrure et faite de semi-conducteur de nitrure ; un secteur de noyau formé sur ledit premier type conducteur couche plaquée et fait de semi-conducteur de nitrure, ledit secteur de noyau comprenant une couche active pour émettre la lumière par l'injection courante électrique ; et un deuxième type conducteur couche plaquée formée sur ledit secteur de noyau et faite de semi-conducteur de nitrure.
