A compound semiconductor multilayer structure comprising a
carbon-containing p-type gallium arsenide (GaAs)-system crystal layer,
wherein the carbon-containing p-type GaAs-system crystal layer exhibits a
predominant photoluminescence peak measured at 20K within a range of 828
nm to 845 nm, and wherein the ratio of hydrogen atom concentration to
carbon atom concentration in the carbon-containing p-type GaAs crystal
layer is 1/5 or less. Furthermore, in a photoluminescence measurement at
10K, the carbon-containing GaAs-system p-type crystal layer exhibits a
first predominant photoluminescence peak and a second predominant
photoluminescence peak due to band gap transitions of GaAs and wherein the
second predominant luminescence wavelength has a longer wavelength than
the first predominant photoluminescence wavelength and the intensity ratio
of the second luminescence peak to the first luminescence peak is within a
range from 0.5 to 3.
Una estructura de múltiples capas del semiconductor compuesto que abarca un p-tipo carbo'n-que contiene arseniuro de galio (capa cristalina del GaAs)-sistema, en donde el p-tipo carbo'n-que contiene capa cristalina del GaAs-sistema exhibe un pico predominante del photoluminescence medido en 20K dentro de una gama de 828 nm a 845 nm, y en donde el cociente de la concentración del átomo del hidrógeno a la concentración del átomo de carbón en el p-tipo carbo'n-que contiene capa cristalina del GaAs es 1/5 o menos. Además, en una medida del photoluminescence en 10K, el p-tipo capa cristalina del GaAs-sistema carbo'n-que contiene exhibe un primer pico predominante del photoluminescence y un segundo pico predominante del photoluminescence debido a las transiciones del boquete de la venda del GaAs y en donde la segunda longitud de onda predominante de la luminescencia tiene una longitud de onda más larga que la primera longitud de onda predominante del photoluminescence y el cociente de la intensidad del segundo pico de la luminescencia al primer pico de la luminescencia está dentro de una gama a partir de la 0.5 a 3.
