A laser diode includes a substrate, a lower cladding layer or a lower
optical waveguide layer substantially free from Al and provided on the
substrate, an active layer of a mixed crystal containing Ga and In as a
group III element and N, As and/or P as a group V element, provided on the
lower cladding layer; and an upper cladding layer or an upper optical
waveguide layer substantially free from Al and provided on the active
layer.
Μια δίοδος λέιζερ περιλαμβάνει ένα υπόστρωμα, ένα χαμηλότερο στρώμα επένδυσης ή ένα χαμηλότερο οπτικό στρώμα κυματοδηγού ουσιαστικά απαλλαγμένο από το Al και που παρέχουν στο υπόστρωμα, ένα ενεργό στρώμα ενός μικτού κρυστάλλου που περιέχει το GA και μέσα ως ομάδα ΙΙΙ στοιχείο και ν, ως ή/και π ως ομάδα Β στοιχείο, που παρέχεται στο χαμηλότερο στρώμα επένδυσης και ένα ανώτερο στρώμα επένδυσης ή ένα ανώτερο οπτικό στρώμα κυματοδηγού ουσιαστικά απαλλαγμένο από το Al και που παρέχει στο ενεργό στρώμα.
