A magnetoresistive effect element of a tunnel junction type includes a
magnetic multi-layered film (1), ferromagnetic film (3) and intervening
insulating film (2) such that a current flows between the magnetic
multi-layered film and the ferromagnetic film, tunneling through the
insulating film. The magnetic multi-layered film includes a first
ferromagnetic layer, second ferromagnetic layer and anti-ferromagnetic
layer inserted between the first and second ferromagnetic layers.
Un élément magnétorésistant d'effet d'un type de jonction de tunnel inclut un film multicouche magnétique (1), le film ferromagnétique (3) et le film isolant intervenant (2) tels qu'un courant coule entre le film multicouche magnétique et le film ferromagnétique, perçant un tunnel par le film isolant. Le film multicouche magnétique inclut une première couche ferromagnétique, la deuxième couche ferromagnétique et la couche anti-ferromagnétique insérée entre les premières et deuxièmes couches ferromagnétiques.
