There are provided a magnetoresistive effect element having a satisfactory
magnetic characteristic and a magnetic memory device including this
magnetoresistive effect element to produce excellent write/read
characteristics.
A magnetoresistive effect element 1 has a pair of ferromagnetic layers
(magnetization fixed layer 5 and magnetization free layer 7) opposed to
each other through an intermediate layer 6 to produce a magnetoresistive
change by a current flowing to the direction perpendicular to the film
plane, the magnetization free layer having a normalized resistance ranging
from 2000 .OMEGA.nm.sup.2 to 10000 .OMEGA.nm.sup.2 where a product of a
specific resistance obtained when a current flows to the film thickness
direction of the magnetization free layer 7 and a film thickness is
defined as the normalized resistance. A magnetic memory device includes
this magnetoresistive effect element 1 and bit lines and word lines
sandwiching the magnetoresistive effect element 1.
Παρέχεται ένα magnetoresistive στοιχείο επίδρασης που έχει ένα ικανοποιητικό μαγνητικό χαρακτηριστικό και μια μαγνητική συσκευή μνήμης συμπεριλαμβανομένου αυτού του magnetoresistive στοιχείου επίδρασης για να παραγάγει άριστο γράφει/διαβασμένα χαρακτηριστικά. Ένα magnetoresistive στοιχείο 1 επίδρασης έχει ένα ζευγάρι των σιδηρομαγνητικών στρωμάτων (σταθερό μαγνήτιση στρώμα 5 και ελεύθερο στρώμα μαγνήτισης 7) που αντιτάσσεται ο ένας στον άλλο μέσω ενός ενδιάμεσου στρώματος 6 για να παραγάγει μια magnetoresistive αλλαγή με μια τρέχουσα ροή στην κάθετο κατεύθυνσης στο αεροπλάνο ταινιών, το ελεύθερο στρώμα μαγνήτισης που έχει μια ομαλοποιημένη αντίσταση που κυμαίνεται από το ΟΜΕΓΑ.νμ.σuπ.2 του 2000 ως το ΟΜΕΓΑ.νμ.σuπ.2 10000 όπου ένα προϊόν μιας συγκεκριμένης αντίστασης αποκτηθείσας όταν ρέει ένα ρεύμα στην κατεύθυνση πάχους ταινιών του ελεύθερου στρώματος 7 μαγνήτισης και ενός πάχους ταινιών ορίζεται ως η ομαλοποιημένη αντίσταση. Μια μαγνητική συσκευή μνήμης περιλαμβάνει αυτό το magnetoresistive στοιχείο 1 επίδρασης και δάγκωσε τις γραμμές και τις γραμμές λέξης που στριμώχνουν το magnetoresistive στοιχείο 1 επίδρασης.
