Magnetoresistive element and magnetic memory unit

   
   

In a magnetoresistive element which includes at least a pair of ferromagnetic layers stacked with having an intermediate layer inbetween and achieves a change in the magnetic resistance by permitting a current to flow in the direction which crosses the plane of the stacked layers, by virtue of having a construction wherein at least one ferromagnetic layer constituting an information recording layer has an amorphous structure containing a CoFeB or CoFeNiB alloy and has a plane form having a longer axis in one direction wherein both sides thereof along the longer axis direction form a straight line or a curved outward, and the both ends thereof in the longer axis direction form a curved or bent outward from, wherein the pattern form has an aspect ratio of 1:1.2 to 1:3.5, excellent asteroid curve having consistency in the properties can be stably obtained.

Σε ένα magnetoresistive στοιχείο που περιλαμβάνει τουλάχιστον ένα ζευγάρι των σιδηρομαγνητικών στρωμάτων που συσσωρεύονται με την κατοχή ενός ενδιάμεσου στρώματος και επιτυγχάνει μια αλλαγή στη μαγνητική αντίσταση με την άδεια ενός ρεύματος για να ρεύσει στην κατεύθυνση που διασχίζει το αεροπλάνο των συσσωρευμένων στρωμάτων, δυνάμει της κατοχής μιας κατασκευής όπου τουλάχιστον ένα σιδηρομαγνητικό στρώμα που αποτελεί ένα στρώμα καταγραφής πληροφοριών έχει μια άμορφη δομή που περιέχει ένα κράμα CoFeB ή CoFeNiB και έχει μια μορφή αεροπλάνων που έχει έναν πιό μακροχρόνιο άξονα σε μια κατεύθυνση όπου και πλευρές επ' αυτού κατά μήκος της πιό μακροχρόνιας μορφής κατεύθυνσης άξονα μια ευθεία γραμμή ή κυρτός ένας εξωτερικός, και οι και άκρες επ' αυτού στην πιό μακροχρόνια μορφή κατεύθυνσης άξονα ένας κυρτός ή καμμμένος εξωτερικά από, αβηνγ αν ηντερμεδηατε λαυερ ηνψετωεεν ανδ αθχηεβες α θχανγε ην τχε μαγνετηθ ρεσηστανθε ψυ περμηττηνγ α θuρρεντ το φλοω ην τχε δηρεθτηον ωχηθχ θροσσες τχε πλανε οφ τχε σταθκεδ λαυερς, ψυ βηρτuε οφ χαβηνγ α θονστρuθτηον ωχερεην ατ λεαστ ονε φερρομαγνετηθ λαυερ θονστητuτηνγ αν ηνφορματηον ρεθορδηνγ λαυερ χας αν αμορπχοuς στρuθτuρε θονταηνηνγ α ΘοΦεΨ ορ ΘοΦεΝηΨ αλλου ανδ χας α πλανε φορμ χαβηνγ α λονγερ αξης ην ονε δηρεθτηον ωχερεην ψοτχ σηδες τχερεοφ αλονγ τχε λονγερ αξης δηρεθτηον φορμ α στραηγχτ ληνε ορ α θuρβεδ οuτωαρδ, ανδ τχε ψοτχ ενδς τχερεοφ ην τχε λονγερ αξης δηρεθτηον φορμ α θuρβεδ ορ ψεντ οuτωαρδ φρομ, ωχερεην τχε η μορφή σχεδίων έχει έναν λόγο διάστασης στις 1:1.2 στις 1:3.5, η άριστη αστεροειδής καμπύλη που έχει τη συνέπεια στις ιδιότητες μπορεί να ληφθεί σταθερά.

 
Web www.patentalert.com

< Plasma processing method

< Parallel programming of programmable logic using register chains

> Element storage layer in integrated circuits

> Sputter target, barrier film and electronic component

~ 00173