A sputter target is made of a Ti--Al alloy containing Al in the range of 1
to 30 atm %. In the Ti--Al alloy constituting the sputter target, Al
exists in at least one of a solid solution state in Ti and a state in
which Al forms an intermetallic compound with Ti, and variation in Al
content in the entire target is limited within 10%. Furthermore, an
average crystal grain diameter of the Ti--Al alloy is 500 .mu.m or less,
and variation in crystal grain diameter in the entire target is limited
within 30%. A Ti--Al--N film as a barrier film is formed by using the
sputter target made of the Ti--Al alloy as described above. An electronic
component includes a barrier film formed on a semiconductor substrate.
Цель sputter сделана из ti -- сплава al содержа al в ряде от 1 до 30 atm %. в ti -- сплав al образовывая цель sputter, al существует в по крайней мере одном из твердого положения разрешения в ti и положения в котором al формирует межметаллическую смесь с ti, и изменение в содержании al в всей цели лимитировано не познее 10%. Furthermore, средний crystal диаметр зерна ti -- сплав al mu.m 500 или, и изменение в crystal диаметре зерна в всей цели лимитировано не познее 30%. Ti -- al -- пленка н как пленка барьера сформирован путем использование цели sputter сделанной из ti -- сплава al как описано выше. Электронный компонент вклюает пленку барьера сформированную на субстрате полупроводника.
