Programmable logic devices are provided having configuration memory cells
that exhibit decreased soft error rates. A stabilizing capacitor may be
connected between each of the memory cell's input and output terminals.
The capacitor may be a metal-insulator-metal capacitor formed using a
vertical structure, a horizontal structure, or a hybrid
vertical-horizontal structure. The memory cell may have inverter
transistors of increased strength to help stabilize the memory cell.
Des dispositifs de logique programmables sont fournis en ayant des cellules de mémoire de configuration que l'objet exposé a diminué des taux d'erreur mineure. Un condensateur stabilisant peut être relié entre chacune de l'entrée des cellules de mémoire et les bornes de rendement. Le condensateur peut être un condensateur de métal-isolateur-métal formé en utilisant une structure verticale, une structure horizontale, ou une structure vertical-horizontale hybride. La cellule de mémoire peut faire stabiliser des transistors d'inverseur d'une résistance accrue à l'aide la cellule de mémoire.
